Tel.
0086-516-83913580
E-mail
sales@yunyi-china.cn

Vysoká účinnosť a odolnosť 3L TO-220AB SiC dióda

Stručný popis:

Štruktúra balenia: 3L TO-220AB

Úvod: SiC dióda YUNYI 3L TO-220AB je vyrobená z karbidu kremíka. SiC diódy majú vysokú tepelnú vodivosť, čo môže účinne zlepšiť hustotu výkonu. Čím vyššia je tepelná vodivosť, tým silnejšia je schopnosť materiálu prenášať teplo do prostredia, čím menší je nárast teploty zariadenia, tým viac to prispieva k zlepšeniu hustoty výkonu výkonového zariadenia, takže je vhodnejšie na prácu vo vysokoteplotnom prostredí. Vysoká sila prierazného poľa SiC diód zvyšuje výdržné napätie a znižuje veľkosť a vysoká sila elektronického prierazného poľa zvyšuje prierazné napätie polovodičových výkonových zariadení. Zároveň v dôsledku zvýšenia sily prierazného poľa elektrónov sa pri zvýšení hustoty prenikania nečistôt môže znížiť širokopásmové rozpätie driftovej oblasti výkonového zariadenia SiC diódy, čím sa môže zmenšiť veľkosť výkonového zariadenia.


Detaily produktu

Monitorovanie času odozvy

Merací rozsah

Značky produktov

Výhody SiC diódy 3L TO-220AB od spoločnosti YUNYI:

1. Konkurenčné náklady s vysokou úrovňou kvality

2. Vysoká efektivita výroby s krátkou dodacou lehotou

3. Malá veľkosť, ktorá pomáha optimalizovať priestor na doske plošných spojov

4. Odolný v rôznych prírodných prostrediach

5. Vlastný nízkostratový čip

3L TO-220AB

Kroky výroby čipov:

1. Mechanická tlač (super presná automatická tlač doštičiek)

2. Automatické prvé leptanie (zariadenie na automatické leptanie, CPK > 1,67)

3. Automatický test polarity (Presný test polarity)

4. Automatická montáž (vlastne vyvinutá automatická presná montáž)

5. Spájkovanie (ochrana zmesou dusíka a vodíka, vákuové spájkovanie)

6. Automatické druhé leptanie (automatické druhé leptanie ultračistou vodou)

7. Automatické lepenie (Rovnomerné lepenie a presný výpočet sú realizované automatickým presným lepením)

8. Automatický tepelný test (automatický výber tepelným testerom)

9. Automatický test (multifunkčný tester)

贴片检测
芯片组装

Parametre produktov:

Číslo dielu Balík VRWM
V
IO
A
IFZM
A
IR
μa
VF
V
ZICRF10650CT ITO-220AB 650 10 60 60 1,7
ZICRF5650 ITO-220AC 650 5 60 60 2
ZICRF6650 ITO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065F ITO-220AC 650 6 70 3 (typicky 0,03) 1,7 (1,5 typicky)
ZICRF10650 ITO-220AC 650 10 100 120 1,7
ZICRF101200 ITO-220AC 1200 10 110 100 1,8
ZICRF12600 ITO-220AC 600 12 50 150 1,7
ZICRF12650 ITO-220AC 650 12 50 150 1,7
Z3D03065F ITO-220AC 650 3 46 2 (typicky 0,03) 1,7 (1,4 typicky)
Z3D10065F ITO-220AC 650 10 115 40 (typicky 0,7) 1,7 (typicky 1,45)
Z4D10120F ITO-220AC 1200 10 105 200 (typicky 30) 1,8 (typicky 1,5)
ZICR10650CT TO-220AB 650 10 60 60 1,7
Z3D20065C TO-220AB 650 20 115 (za nohu) 40 (typicky 0,7) (na nohu) 1,7 (typicky 1,45) (na nohu)
ZICR5650 TO-220AC 650 5 60 60 2
ZICR6650 TO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065A TO-220AC 650 6 70 3 (typicky 0,03) 1,7 (1,5 typicky)
Z3D10065A TO-220AC 650 10 115 40 (typicky 0,7) 1,7 (typicky 1,45)
ZICR10650 TO-220AC 650 10 110 100 1,7
Z3D20065A TO-220AC 650 20 170 50 (typicky 1,5) 1,7 (typicky 1,45)
ZICR101200 TO-220AC 1200 10 110 100 1,8
ZICR12600 TO-220AC 600 12 50 150 1,7
ZICR12650 TO-220AC 650 12 50 150 1,7
Z3D03065A TO-220AC 650 3 46 2 (typicky 0,03) 1,7 (1,4 typicky)
Z4D04120A TO-220AC 1200 4 46 200 (typicky 20) 1,8 (typicky 1,5)
Z4D05120A TO-220AC 1200 5 46 200 (typicky 20) 1,8 (typicky 1,65)
Z4D02120A TO-220AC 1200 2 44 50 (10 typicky) 1,8 (typicky 1,5)
Z4D10120A TO-220AC 1200 10 105 200 (typicky 30) 1,8 (typicky 1,5)
Z4D20120A TO-220AC 1200 20 162 200 (typicky 35) 1,8 (typicky 1,5)
Z4D08120A TO-220AC 1200 8 64 200 (typicky 35) 1,8 (1,6 typicky)
Z4D15120A TO-220AC 1200 15 100 200 (typicky 35) 1,8 (typicky 1,5)
Z3D15065A TO-220AC 650 15 162 25 (typicky 0,5) 1,7 (1,5 typicky)
Z3D06065I TO-220-IZolácia 650 6 70 3 (typicky 0,03) 1,7 (1,5 typicky)
Z3D10065I TO-220-IZolácia 650 10 115 40 (typicky 0,7) 1,7 (typicky 1,45)

 


  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  •