Dióda SiC DPAK (TO-252AA) s vysokou tepelnou vodivosťou

Vysoká tepelná vodivosť DPAK (TO-252AA) SiC dióda Odporúčaný obrázok

Stručný popis:

Štruktúra balenia: DPAK (TO-252AA)

Úvod: SiC dióda YUNYI DPAK (TO-252AA), ktorá je vyrobená z materiálov z karbidu kremíka, má vysokú tepelnú vodivosť a silnú schopnosť prenášať teplo, čo viac prispieva k zlepšeniu hustoty výkonu výkonového zariadenia, takže je vhodnejšie pre práca v prostredí s vysokou teplotou. Vysoká intenzita prierazného poľa SiC diód zvyšuje výdržné napätie a znižuje veľkosť a vysoká intenzita elektronického prierazného poľa zvyšuje prierazné napätie polovodičových výkonových zariadení. Súčasne, v dôsledku zvýšenia intenzity poľa rozpadu elektrónov, v prípade zvýšenia hustoty prieniku nečistôt, môže byť širokopásmové pásmo driftovej oblasti SiC diódového napájacieho zariadenia znížené, takže veľkosť výkonového zariadenia možno znížiť.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Sledovanie času odozvy

Rozsah merania

Štítky produktu

Prednosti SiC diódy DPAK (TO-252AA) YUNYI:

1. Konkurenčné náklady s vysokou úrovňou kvality

2. Vysoká efektívnosť výroby s krátkou dobou dodania

3. Malá veľkosť, ktorá pomáha optimalizovať priestor dosky plošných spojov

4. Stabilné a spoľahlivé v rôznych prírodných prostrediach

5. Samostatne vyvinutý čip s nízkou stratou

Postup výroby čipov:

1. Mechanická tlač（super presná automatická tlač plátkov）

2. Automatické prvé leptanie (zariadenie na automatické leptanie, CPK> 1,67)

3. Automatický test polarity (presný test polarity)

4. Automatická montáž （Automaticky vyvinutá presná montáž）

5. Spájkovanie (ochrana zmesou dusíka a vodíka vákuové spájkovanie)

6. Automatické druhé leptanie (automatické druhé leptanie s ultračistou vodou)

7. Automatické lepenie (jednotné lepenie a presný výpočet sú realizované automatickým presným lepiacim zariadením)

8. Automatický tepelný test (automatický výber pomocou tepelného testera)

9. Automatický test (Multifunkčný tester)

Parametre produktov:

Číslo dielu	Balíček	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
5650 ZICRD	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (typicky 0,03)	1,7 (typické 1,5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
12600 ZICRD	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (typicky 0,03)	1,7 (typické 1,4)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (typicky 0,7)	1,7 (1,45 typicky)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (typicky 20)	1,8 (1,5 typicky)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (typicky 20)	1,8 (1,65 typicky)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (10 typických)	1,8 (1,5 typicky)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (30 typických)	1,8 (1,5 typicky)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (35 typických)	1,8 (typické 1,6)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (na nohu)	8 (typicky 0,002) (na nohu)	1,7 (typicky 1,5) (na nohu)