Extrémne stabilné PAR® supresory prechodového napätia na povrch (TVS) DO-218AB SM8S
Výhody DO-218AB SM8S:
1. Vďaka technológii metódy chemického leptania sú eliminované negatívne výsledky priamych rezných prostriedkov.
2. Výkonný pri spätnom ráze vďaka väčšiemu čipu ako náprotivky.
3. Mimoriadne nízka poruchovosť v rôznych poveternostných podmienkach a oblastiach
4. Schválené podľa normy AEC-Q101
5. Funkcie diódy sú optimalizované, využívajúc vedeckú ochranu na PN prechode.
PRIMÁRNE CHARAKTERISTIKY:
VBR: 11,1 V až 52,8 V
VWM: 10 V až 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ max.: 175 °C
Polarita: Jednosmerná
Balenie: DO-218AB
Postupy výroby čipov
1. Automatická tlač(Ultra presná automatická tlač plátkov)
2. Automatické prvé leptanie(Zariadenie na automatické leptanie, CPK> 1,67)
3. Automatický test polarity（presný test polarity）
4. Automatická montáž （Automaticky vyvinutá presná montáž）
5. Spájkovanie (ochrana zmesou dusíka a vodíka
Vákuové spájkovanie)
6. Automatické druhé leptanie (automatické druhé leptanie s ultračistou vodou)
7. Automatické lepenie (jednotné lepenie a presný výpočet sú realizované automatickým presným lepiacim zariadením)
8. Automatický tepelný test (automatický výber pomocou tepelného testera)
9. Automatický test (Multifunkčný tester)
